作者:上大科技發(fā)布日期:2022-01-12 16:21:13瀏覽人數(shù):1855
該方案采用(硅動(dòng)力)SP6649FL+SP6516FD+(速芯微)FS8611RB20W;實(shí)現(xiàn)低成本,超簡(jiǎn)外圍,20W 雙C PD充電器;
SP6649FL 是一顆電流模式 PWM 控制芯片,內(nèi)置650V 高壓功率MOSFET,芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時(shí)的損耗,提高整機(jī)的工作效率。
SP6649FL在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流,可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻,以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。
SP6649FL內(nèi)置多種保護(hù),包括逐周期限流保護(hù)(OCP),過載保護(hù)(OLP),過壓保護(hù)(VDD OVP),VDD 過壓箝位,欠壓保護(hù)(UVLO),過溫保護(hù)(OTP)等,通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制。
SP6649FL采用SOP8 封裝。
特點(diǎn)
? 全電壓范圍輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 75mW
? 內(nèi)置650V 高壓功率管
? 軟啟動(dòng)可用來減少M(fèi)OSFET 上Vds的應(yīng)力
? 抖頻功能,改善EMI性能
? 跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗
? 無噪聲工作
? 固定65KHz 開關(guān)頻率
? 內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
? 低啟動(dòng)電流,低工作電流
? 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
? 過載保護(hù)(OLP),逐周期限流保護(hù)(OCP)
? VDD 過壓保護(hù)(VDD OVP),欠壓保護(hù)(UVLO), VDD電壓箝位,過溫保護(hù)(OTP)
同步采用SP6516FD,SOP8封裝,內(nèi)置MOS,耐壓60V;
協(xié)議采用速芯微的FS8611,20-65W,功率可定制;
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